填空题当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。
填空题要提高MOSFET的跨导，需要（）沟道长度和栅氧化层厚度。
填空题当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系。
填空题通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时，N沟道MOSFET的阈值电压向（）方向调整。
填空题当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称为衬底偏置效应。
