A.微观缺陷 B.宏观缺陷 C.表面机械损伤 D.点阵应变
单项选择题半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（）
A.点缺陷 B.层错 C.杂质沉淀 D.位错
多项选择题半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）
A.星型结构 B.杂质析出 C.系属结构 D.点缺陷
多项选择题半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。
A.Dash腐蚀液 B.Shimmel腐蚀液 C.Sirtl腐蚀液 D.Wright腐蚀液
单项选择题用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。
A.30～50℃ B.40～60℃ C.50～70℃ D.60～80℃
单项选择题漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。
A.线缺陷 B.微缺陷 C.面缺陷 D.点缺陷
