A.30～50℃ B.40～60℃ C.50～70℃ D.60～80℃
单项选择题漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。
A.线缺陷 B.微缺陷 C.面缺陷 D.点缺陷
单项选择题位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。
A.线密度 B.体密度 C.面密度 D.以上皆不是
单项选择题三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。
A.整流效应 B.温差电效应 C.以上二种皆可 D.以上二种皆不可
单项选择题目前国内外广泛采用（）测量半导体硅单晶电阻率。
A.四探针法 B.扩展电阻法 C.范德堡法 D.两探针法
单项选择题冷热探笔法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。
