半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）

多项选择题半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。

A.Dash腐蚀液
B.Shimmel腐蚀液
C.Sirtl腐蚀液
D.Wright腐蚀液

单项选择题用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。

A.30～50℃
B.40～60℃
C.50～70℃
D.60～80℃

单项选择题漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。

A.线缺陷
B.微缺陷
C.面缺陷
D.点缺陷

单项选择题位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。

A.线密度
B.体密度
C.面密度
D.以上皆不是

单项选择题三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。

A.整流效应
B.温差电效应
C.以上二种皆可
D.以上二种皆不可