Si工艺 体硅微机械加工工艺（Bulkmicromaching）——用晶圆自身材料来制作MEMS结构
优势：可用于制作大的深宽比、很厚的结构
表面微机械加工工艺（Surfacemicromachining）——与IC工艺兼容 牺牲层制作 阻挡层制作 牺牲层释放工艺
问答题分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
问答题在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
