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单项选择题

A.伏安特性B.栅极特性C.擎住效应D.栅极效应当漏极电流大于规定的临界值时,该寄生晶体管因有过高的正偏置被触……

当漏极电流大于规定的临界值时,该寄生晶体管因有过高的正偏置被触发导通,使PNP管也饱和导通,结果IGBT的栅极失去控制作用,称为()

A.伏安特性
B.栅极特性
C.擎住效应
D.栅极效应

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