在实测的晶体管输出特性曲线中，I_C在放大区随V_CE的增加而略有增加，这是由（）造成的。

单项选择题在平衡状态下，电子的电流密度（）。

A.等于0
B.大于0
C.小于0
D.大于等于0

多项选择题单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势
B.耗尽区宽度
C.最大电场
D.势垒高度

多项选择题输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。

A.载流子浓度
B.电场强度
C.载流子浓度梯度
D.电荷密度

多项选择题‎短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）

A.跨导与沟道长度L不再有关
B.饱和漏源电压正比于沟道长度L
C.阈值电压随L的缩短而减小
D.饱和漏极电流与沟道长度L无关

多项选择题‍以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）

A.沟道长度增加
B.阈值电压提高
C.栅氧化层厚度减小
D.沟道宽度增加