若COMS反相器电压转移特性如图所示，对于采用该反相器构建的缓冲器，当缓冲器输入电压波动范围为3--5V时，缓……

多项选择题只考虑栅极电容时，若设最小晶体管电容为基本 单位，则有（）。

A.最小反相器的输入电容为2
B.最小NOR2的输入电容为4
C.最小NAND的输入电容为3
D.标准门的输入电容为6

多项选择题关于CMOS数字集成电路中逻辑单元的功耗，下列说法哪些是正确的？（）

A.主要为动态功耗
B.与器件单元中的电容总量正比
C.与发生状态变化的电容总量正比
D.与单位时间内的状态变化次数正比

多项选择题信号传递路径上某个节点导致的时间延迟主要与下列因素有关（）。

A.该节点连接的器件数量
B.该节点连接的输入电容数量
C.该节点所具有的电平状态
D.该节点所获得的驱动能力

多项选择题关于数字电路中的信号传递延迟，下列哪些说法是正确的？（）

A.信号传递延迟主要由路径上的电容影响
B.信号传递延迟主要由电荷的移动速度影响
C.信号传递过程需要为相应路径上电容进行充放电，需要花费时间
D.信号传递过程电荷需要通过较长连接线，需要花费时间

单项选择题假设最小晶体管栅极导致的时间延迟为1，下列电路中从a到y的信号传递延迟为（）。

A.4
B.6
C.9
D.13