A.最小反相器的输入电容为2B.最小NOR2的输入电容为4C.最小NAND的输入电容为3D.标准门的输入电容为……

多项选择题关于CMOS数字集成电路中逻辑单元的功耗，下列说法哪些是正确的？（）

A.主要为动态功耗
B.与器件单元中的电容总量正比
C.与发生状态变化的电容总量正比
D.与单位时间内的状态变化次数正比

多项选择题信号传递路径上某个节点导致的时间延迟主要与下列因素有关（）。

A.该节点连接的器件数量
B.该节点连接的输入电容数量
C.该节点所具有的电平状态
D.该节点所获得的驱动能力

多项选择题关于数字电路中的信号传递延迟，下列哪些说法是正确的？（）

A.信号传递延迟主要由路径上的电容影响
B.信号传递延迟主要由电荷的移动速度影响
C.信号传递过程需要为相应路径上电容进行充放电，需要花费时间
D.信号传递过程电荷需要通过较长连接线，需要花费时间

单项选择题假设最小晶体管栅极导致的时间延迟为1，下列电路中从a到y的信号传递延迟为（）。

A.4
B.6
C.9
D.13

多项选择题集成电路的对等性设计要求（）。

A.高电平输出电阻与低电平输出电阻相同
B.输出高电平容限与输出低电平容限相同
C.高电平输出电流与低电平输出电流相同
D.高电平驱动能力与低电平驱动能力相同