用变介电常数式电容式传感器测量介质的（）比测量其（）的性能要好。

填空题（）极板长度、（）极板间间隙、选介电常数（）介质，都可以提高变面积式电容式传感器的灵敏度。

填空题部分固体介质的变间隙式电容传感器的，它既是（）因子，又是（）因子，由于 N 1（），因此该传感器是在牺牲（）的前提下，换取（）提高的。

填空题解决变间隙式电容传感器提高 K0与Y0间的矛盾，可采用（）电容传感器，后者与前者相比，不仅灵敏度（），而且非线性误差也（）。但是，它还受电容极板间（）的限制，为此，常采用（）的变间隙式电容传感器。

填空题变间隙式电容传感器的初始间隙d0越小，传感器的灵敏度K0（）、非线性误差Y0（），以上说明，提高K0与减小Y0（）。在实际应用中，为使传感器具有足够大的K0值，通常使（），如果还必须使Y0具有足够小的值，则还应满足（），这就是它只能用于测量（）的原理。

填空题按工作原来的不同，电容式传感器可分为（）、（）和（）三种类型。第一种常用于测量（），第二种常用于测量（），第三种常用于测量（）。

单项选择题在测量位移的传感器中，符合非接触测量，而且不受油污等介质影响的是（）传感器。

A.压电式
B.电阻式
C.电涡流式
D.电容式

单项选择题为减少变极距型电容传感器灵敏度的非线性误差，应选用（）类型的传感器为最好。

A. 大间距
B. 高介电常数
C. 差动式
D. 小间距

问答题题图所示为一电感式压力传感器,线圈匝数L1=L2相等且为纯电感。当上下两腔压力P1=P2时，两线圈距膜片距离均为D，当P1≠P2时，膜片偏移，使两线圈磁阻发生变化，磁阻Rm的变化可表示为Rm-R0+K(D±d)。式中，R0 、K为常数，d为膜片偏移量。试证明图中电桥的无负载输出U0与膜片偏移量d成正比，并分析如何判断是P1>P2还是P2>P1。

问答题一变气隙式电感传感器如题图所示，线圈铁心由直径1cm的钢棒弯成直径4cm的半圆，线圈匝数为500，衔铁由厚0.5cm的钢板做成。已知铁心和衔铁材料的相对导磁率为100，空气的相对导磁率为1，真空中的导磁率为4π 10-7H m，试计算气隙为1mm和3mm时传感器的电感。

填空题定频调幅式测量电路的原理框图包括（）、（）、（）、（）、（）和（）等部分。

填空题电涡流式传感器的测量电路主要有（） 电路和（）电路。

填空题被测体的电阻率ρ（），相对导磁率μ（），传感器线圈的激磁频率（），则电涡流的轴向贯穿深度 h 越大。

填空题当利用电涡流式传感器测量位移时，只有在 x ras =（）的范围内，才能得到较好的（）和较高的（）

填空题电涡流式传感器的电涡流径向形成范围大约在线圈外半径ras 的（）到（）之内，而电涡流密度在短路环半径 r=（）处为零，在r=（）附近最大。

填空题电涡流式传感器测量系统由（）和（）两部分组成，两者利用（）来实现测试任务。