(1)如果这次预淀积进行了总共t分钟,若预淀积温度不变,引入3Qcm-2的杂质需要多长时间?(2)预淀积后再进行推进扩散,要求推进的杂质足够深,使得最后表面杂质浓度等于其固溶度Cs的1%。若已知预淀积过程中的(Dt)predop,推导出推进扩散过程中(Dt)drive-in的表达式。
问答题以P2O5为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式,并解释其含义。
问答题杂质原子的扩散方式有哪几种?它们各自发生的条件是什么?从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
问答题集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各有什么优缺点?
问答题分别简述RVD和GILD的原理,它们的优缺点及应用方向。