①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低； ②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离； ③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力 因此最理想的隐埋层杂质是砷（As）
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