A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化
判断题CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。
判断题STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。
判断题光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准，可以采用仔细观察的方法。
判断题形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该层材料上刻蚀出窗口作为接触孔。
判断题CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以是P阱结构，还可以是N阱结构，更可以是双阱结构。
