单项选择题

A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。……

如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化

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热门试题

判断题CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。

判断题STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。

判断题光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准，可以采用仔细观察的方法。

判断题形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该层材料上刻蚀出窗口作为接触孔。

判断题CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以是P阱结构，还可以是N阱结构，更可以是双阱结构。

判断题MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀积和光刻、源漏注入、接触孔光刻、金属淀积及反刻、钝化等工艺。

判断题当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的性质（正胶还是负胶）。

判断题如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域，只有很少一部分透光，这种掩模版称为亮场掩模版。

判断题掩模版一般是在石英玻璃涂抹上一定形状的铬等材料，形成明暗相间的图形。

判断题制作MOS管时，一般先进行源的注入，再进行漏的注入。

判断题CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。

判断题LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。

判断题制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。

判断题制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。

判断题采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。