A.衬底偏置效应会导致阈值电压变大B.MOS管是电流控制型器件C.MOS管工作时电子和空穴都参与导电D.温度上……

单项选择题以下关于MOS管的说法正确的是（）

A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

单项选择题关于MOS电容，以下说法正确的是（）

A.MOS电容是固定电容
B.MOS电容就是MOS栅氧化层电容
C.MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的
D.随着栅电压增加，MOS电容会减小

单项选择题已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则（）

A.该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构
B.该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构
C.该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构
D.该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构

单项选择题一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大
B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电压越大
C.其阈值电压必定是负的
D.其衬底费米势肯定是负的

单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

A.其阈值电压应该是正的
B.强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的
C.积累状态时所加的栅电压应该是负的
D.其费米势应该是负的