埋层：第一次光刻； 在P型衬底上注入As进行N型扩散，之后在晶圆表面淀积一层N型外延层，则把N型扩散区域“埋”在外延层下，将其称为双极晶体管的埋层。 埋层作用： 1）相当于在外延层下并联一个阻值小的电阻，大大降低了晶体管集电区串联电阻； 2）相当于加宽了寄生管的基区宽度，可以减小寄生pnp晶体管的影响。
问答题画出标准埋层双极晶体管的剖面结构图并标注出相应的材料图。
问答题IC集成工艺与分立器件工艺有什么不同？
问答题试画出CMOS双阱工艺中器件结构的剖面图并在其上标注出主要材料层的名称。
问答题工艺最后生长在顶层的介质层称为什么？由什么材料构成？其主要作用是什么？
问答题试给出CMOS工艺操作的三种基本类型，并说明每种类型的主要作用及主要工艺。
