A.在淀积的铝膜中掺入约1%SiB.在淀积的铝膜中掺入约1%CuC.在铝膜表面覆盖Si3N4D.在淀积铝之前先……

判断题在SiO2 Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。

多项选择题关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率（）

A.光源为紫光
B.使用移相掩膜技术制备的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.驻波效应对分辨率无影响

多项选择题溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确（）

A.蒸镀工艺的普适性更好
B.溅射工艺的普适性更好
C.溅射工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸镀工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好

多项选择题从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上（）

A.衬底放在面积大的电极上
B.靶放在面积大的电极上
C.衬底放在面积小的电极上
D.靶放在面积小的电极上

单项选择题为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法（）

A.射频溅射
B.LPCVD
C.电阻蒸镀
D.PECVD