A.测量下限较高B.对样品有几何形状和几何尺寸的要求C.要求制备符合一定要求的欧姆接触D.仪器线路比较复杂直流……

多项选择题用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（）

A.两探针法
B.四探针法
C.范德堡法
D.扩展电阻法

多项选择题影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）

A.电极电位
B.腐蚀液的成分
C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响
D.缓冲剂的影响

多项选择题陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）

A.使整个样品加底光照
B.将硅单晶加热到50～70℃
C.加底光照后用氙灯闪光进行照射
D.将硅单晶加热到60～80℃

多项选择题下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）

A.是晶体中点缺陷的局部聚集
B.漩涡条纹是不连续的
C.由大量的浅蚀坑组成
D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的

单项选择题稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）

A.扩散长度法
B.光电导衰退法
C.光脉冲法
D.光磁法