A.是晶体中点缺陷的局部聚集B.漩涡条纹是不连续的C.由大量的浅蚀坑组成D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的
单项选择题稳态法测量非平衡少数载流子寿命,主要采用的方法有()
A.扩散长度法 B.光电导衰退法 C.光脉冲法 D.光磁法
多项选择题四探针法测量电阻率的测准条件主要有()
A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化 B.一般采用1~2mm左右的针距较适宜 C.四根探针应处于同一平面的同一条直线上 D.样品的厚度必须大于3倍针距
多项选择题目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法,一般主要有()。
A.直接法 B.瞬态法 C.稳态法 D.间接法
多项选择题国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有()
A.单探针点接触整流法 B.冷热探笔法 C.三探针法 D.冷探笔法
多项选择题高频光电导衰退法的优点主要有()
A.样品较少受到污染 B.测量时不必制作欧姆电极 C.样品无需切割成一定的几何形状 D.应用广泛