填空题()仍是生产硅单晶的主要方法,它工艺成熟,便于控制()和(),容易拉制大直径无位错单晶,尤其能制备10-4欧姆•厘米级特殊单晶。
填空题硅单晶的生产方法以直拉法和区熔法为主,其他方法有极少少量应用,世界硅单晶产量,其中70~80%是()生产,20~30%是()生产的。
填空题用外延法生长单晶,有()和()两种方法。
填空题铸锭法生长硅单晶虽然()简单,()快,()低,但是生长单晶质量差。一般用于制造太阳能电池器件。
填空题气相生长法()简单,污染少,单晶纯度较高,但是(),生长条件不易控制,生长的单晶质量较差。