单项选择题二极管的IR参数的值越______,说明其单向导电特性越好。
单项选择题锗二极管和硅二极管的伏安特性如图所示,锗管的特性曲线是()。
A.由a和c组成 B.由a和d组成 C.由b和c组成 D.由c和d组成
单项选择题在如图所示的几条曲线中,表示理想二极管正向伏安特性的是()。
A.A B.B C.C D.D
单项选择题硅的单向导电性比锗的______。
单项选择题不能用R×10K档测量二极管的原因是该档位______。
单项选择题在如图所示的电路中,VD1和VD2为理想二极管,图中VD1,VD2的状态为()。
A.VD1、VD2导通 B.VD1导通,VD2截止 C.VD1导通,VD2截止 D.VD1、VD2、VD3导通
单项选择题Ge二极管VD,电压E和电阻R(R=3kΩ)组成的电路如图所示,该电路中电流比较准确的值是()mA。
A.0 B.0.27 C.0.4 D.0.5
单项选择题用万用表不同欧姆档测量二极管正向电阻时,会观察到其测得的阻值不同,其根本原因是______。
单项选择题用万用表R×1K档判别二极管的管脚,在测得指针偏转很大那次红表笔接______。
单项选择题用万用表的“R×10”档和“R×100”档测量同一个二极管的正向电阻,两次测得的值分别为R1和R2,则二者相比______。