二极管的I_R参数的值越______，说明其单向导电特性越好。

单项选择题锗二极管和硅二极管的伏安特性如图所示，锗管的特性曲线是（）。

A．由a和c组成
B．由a和d组成
C．由b和c组成
D．由c和d组成

单项选择题在如图所示的几条曲线中，表示理想二极管正向伏安特性的是（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

单项选择题硅的单向导电性比锗的______。

单项选择题不能用R×10K档测量二极管的原因是该档位______。

单项选择题在如图所示的电路中，VD1和VD2为理想二极管，图中VD1，VD2的状态为（）。

A．VD1、VD2导通
B．VD1导通，VD2截止
C．VD1导通，VD2截止
D．VD1、VD2、VD3导通

单项选择题Ge二极管VD，电压E和电阻R（R=3kΩ）组成的电路如图所示，该电路中电流比较准确的值是（）mA。

A．0
B．0.27
C．0.4
D．0.5

单项选择题用万用表不同欧姆档测量二极管正向电阻时，会观察到其测得的阻值不同，其根本原因是______。

单项选择题用万用表R×1K档判别二极管的管脚，在测得指针偏转很大那次红表笔接______。

单项选择题用万用表的“R×10”档和“R×100”档测量同一个二极管的正向电阻，两次测得的值分别为R1和R2，则二者相比______。

单项选择题用万用表直流电压档分别测出VD1、VD2和VD3正极与负极对地的电位如图所示，VD1、VD2、VD3的状态为（）。

A．VD1、VD2、VD3均正偏
B．VD1反偏，VD2、VD3正偏
C．VD1、VD2反偏，VD3正偏
D．VD1、VD2、VD3均正偏