C_TE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，C_TE的存在意味着i_e必须先付出对势垒区充放电的多子电流i_ect后，才能建立起一定的i_pe。这一过程需要的时间是（）。

单项选择题‍（）的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO。

A.发射极开路时，使I’_CEO→∞
B.集电极极开路时，使I’_CEO→∞
C.发射极开路时，使I’_CBO→∞
D.基极开路时，使I’_CBO→∞

单项选择题‎在异质结双极型晶体管中，通常用（）。

A.窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区
B.宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区
C.窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区
D.宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区

单项选择题为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（）而齐纳击穿具有与之相反的特性。

A.可逆
B.正温度系数
C.负温度系数
D.不可逆

单项选择题​对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。‌

A.N型中性区
B.P型势垒区
C.N型势垒区
D.P型中性区

单项选择题理想PN结的电流是（）。

A.多子漂移电流
B.少子扩散电流
C.多子扩散电流
D.复合-产生电流