A.与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B.介质隔离C.介质隔离和PN结隔离D.自隔离
单项选择题可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
A.二氧化硅B.氮化硅C.磷硅玻璃D.氧化铝
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）
A.221℃B.323℃C.370℃D.390℃
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）
A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
单项选择题芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）
A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
单项选择题集成电路的组装顺序是（）
A.中测→划片→粘片→键合→封装B.划片→中测→键合→封装→检漏C.划片→键合→中测→粘片→封装D.中测→划片→组装→封装→键合
