A.芯片周长50%可见焊料B.芯片周围75%可见焊料C.芯片周长40%可见焊料D.芯片周长45%可见焊料
单项选择题一般MOS型集成电路的隔离是（）
A.与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B.介质隔离C.介质隔离和PN结隔离D.自隔离
单项选择题可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
A.二氧化硅B.氮化硅C.磷硅玻璃D.氧化铝
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）
A.221℃B.323℃C.370℃D.390℃
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）
A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
单项选择题芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）
A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
