A.“左零”“右火” B.“左火”“右零”
多项选择题按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为:()蒸发、()蒸发、离子束蒸发等。
A.电阻加热 B.电子束 C.蒸气原子
单项选择题将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为()曝光。
A.接触 B.接近式 C.投影
单项选择题光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()
A.刻制图形 B.绘制图形 C.制作图形
单项选择题介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是()层。
A.多晶硅 B.氮化硅 C.二氧化硅
单项选择题二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。
A.预 B.再 C.选择