‏利用晶体管的开关特性可构成开关电路，这时管子工作在（）。

单项选择题‎对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于（）后，才会形成导电沟道。

A.导通电压绝对值
B.开启电压绝对值
C.死区电压
D.夹断电压绝对值

单项选择题‎晶体管处于饱和状态时，要求（）。

A.发射结正偏，集电结反偏。
B.发射结反偏，集电结正偏。
C.发射结反偏，集电结反偏。
D.发射结正偏，集电结正偏。

单项选择题某NPN管电路中，测得BE之间的电压为0V，BC之间电压为-2V，则可知该晶体管工作于（）状态。

A.放大
B.饱和
C.截止
D.不能确定

单项选择题分析下图所示交流通路，设其直流通路合理，则所述正确的是（）。

A.构成电感三点式振荡电路
B.构成电容三点式振荡电路，将其中的电感用石英晶体代替，则组成并联型晶体振荡电路
C.不能产生正弦波
D.构成电容三点式振荡电路，将其中的电感用石英晶体代替，则组成串联型晶体振荡电路

单项选择题图示电路的电压放大倍数是（）。

A.3
B.4
C.-4
D.-3