‎对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于（）后，才会形成导电沟道。

单项选择题‎晶体管处于饱和状态时，要求（）。

A.发射结正偏，集电结反偏。
B.发射结反偏，集电结正偏。
C.发射结反偏，集电结反偏。
D.发射结正偏，集电结正偏。

单项选择题某NPN管电路中，测得BE之间的电压为0V，BC之间电压为-2V，则可知该晶体管工作于（）状态。

A.放大
B.饱和
C.截止
D.不能确定

单项选择题分析下图所示交流通路，设其直流通路合理，则所述正确的是（）。

A.构成电感三点式振荡电路
B.构成电容三点式振荡电路，将其中的电感用石英晶体代替，则组成并联型晶体振荡电路
C.不能产生正弦波
D.构成电容三点式振荡电路，将其中的电感用石英晶体代替，则组成串联型晶体振荡电路

单项选择题图示电路的电压放大倍数是（）。

A.3
B.4
C.-4
D.-3

单项选择题一阶RC高通电路在截止频率处的相位为（）度。

A.90
B.0
C.45
D.-45