A.平界面越容易破坏B.平界面不容易破坏C.平界面不容易形成D.平界面越容易形成
单项选择题纯金属结晶时,晶核呈平面状长大的条件是()。
A.dT/dx>0B.dT/dx<0C.dT/dx=0D.dT/dx≠0
单项选择题晶核长大的机制不包括()。
A.借螺位错长大B.树枝状长大C.垂直长大D.二维形核长大
单项选择题关于非均匀形核,以下说法错误的是()。
A.非均匀形核所需的临界形核功比均匀形核小得多B.无形核功,晶体可在已有固相表面长大C.实际金属结晶过程中,通常发生的是非均匀形核D.非均匀形核的临界晶核的体积V比均匀形核的体积大得多
单项选择题在均匀形核过程中,当过冷度过小时,形核率N主要受()控制,随着过冷度增加,临界晶核半径减小;当过冷度继续增大,尽管临界晶核半径也在减小,但由于原子在较低温度下扩散变得困难,此时形核率N主要受()控制。
A.形核功;原子扩散几率因子B.形核功因子;原子扩散几率因子C.形核功;原子越过液固相界面的扩散激活能D.形核功因子;原子越过液固相界面的扩散激活能
单项选择题均匀形核发生所需要的过冷度大概为其熔点的()倍。
A.0.2B.0.3C.0.4D.0.1