纯金属结晶时，晶核呈平面状长大的条件是（）。

单项选择题晶核长大的机制不包括（）。

A.借螺位错长大
B.树枝状长大
C.垂直长大
D.二维形核长大

单项选择题关于非均匀形核，以下说法错误的是（）。

A.非均匀形核所需的临界形核功比均匀形核小得多
B.无形核功，晶体可在已有固相表面长大
C.实际金属结晶过程中，通常发生的是非均匀形核
D.非均匀形核的临界晶核的体积V比均匀形核的体积大得多

单项选择题在均匀形核过程中，当过冷度过小时，形核率N主要受（）控制，随着过冷度增加，临界晶核半径减小；当过冷度继续增大，尽管临界晶核半径也在减小，但由于原子在较低温度下扩散变得困难，此时形核率N主要受（）控制。

A.形核功；原子扩散几率因子
B.形核功因子；原子扩散几率因子
C.形核功；原子越过液固相界面的扩散激活能
D.形核功因子；原子越过液固相界面的扩散激活能

单项选择题均匀形核发生所需要的过冷度大概为其熔点的（）倍。

A.0.2
B.0.3
C.0.4
D.0.1

单项选择题在均匀形核过程中，形成临界晶核时体系的自由能（）；过冷度越（），形核越容易。

A.增加；小
B.增加；大
C.减少；小
D.减少；大