A.非饱和B.截止C.饱和D.不能判断
单项选择题增强型NMOS的阈值电压()0,且当VGS()VT时,MOS管才导通
A.大于,小于B.大于,大于C.小于,大于D.小于,小于
单项选择题以下关于MOS管说法正确的是()
A.衬底偏置效应会导致阈值电压变大B.MOS管是电流控制型器件C.MOS管工作时电子和空穴都参与导电D.温度上升会使导电因子变大
单项选择题以下关于MOS管的说法正确的是()
A.MOS管是电压控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电B.MOS管是电流控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电C.MOS管是电压控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电D.MOS管是电流控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
单项选择题关于MOS电容,以下说法正确的是()
A.MOS电容是固定电容B.MOS电容就是MOS栅氧化层电容C.MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的D.随着栅电压增加,MOS电容会减小
单项选择题已知一个MOS结构,若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为1V,若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为-1V,则()
A.该结构衬底为P型硅,是增强型MOS结构B.该结构衬底为N型硅,是增强型MOS结构C.该结构衬底为P型硅,是耗尽型MOS结构D.该结构衬底为N型硅,是耗尽型MOS结构