关于共射电路，‏下列说法中错误的是（）。

单项选择题‎共射组态的结构特点是（）。

A.基极输入，发射极输出
B.基极输入，集电极输出
C.发射极输入，基极输出
D.发射极输入，集电极输出

单项选择题‍BJT正常放大时，发射结一定是（）。

A.正偏
B.基极-发射极间电压降VBE小于0
C.PNP型的正偏，NPN型的反偏
D.反偏

单项选择题‏在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。

A.使空间电荷区变厚
B.使反向饱和电流减小
C.使反向饱和电流增大
D.抑制漂移，促进扩散

单项选择题​关于击穿，以下说法错误的是（）。

A.二极管整流电路利用的是二极管的反向击穿特性
B.齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
C.电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的
D.雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能

单项选择题‌为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。

A.加强外电场
B.掺入特定杂质元素
C.提高环境温度
D.加强光照