单项选择题

关于击穿，以下说法错误的是（）。

A.二极管整流电路利用的是二极管的反向击穿特性
B.齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
C.电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的
D.雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能

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单项选择题‌为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。

A.加强外电场
B.掺入特定杂质元素
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A.0.632
B.0.618
C.0.368
D.0.5

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A.提高探头带负载能力
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B.最大
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B.直流稳压电源
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D.信号发生器的三角波

​关于击穿，以下说法错误的是（）。