A.提高,提高B.提高,降低C.降低,提高D.降低,降低
单项选择题PN结的击穿电压越()越好,开关时间越()越好。
A.大,短B.小,短C.小,长D.大,长
单项选择题正向电压作用下PN结电容以()为主,反向电压作用下PN结电容以()为主。
A.势垒电容,势垒电容B.势垒电容,扩散电容C.扩散电容,扩散电容D.扩散电容,势垒电容
单项选择题P区侧存在()空间电荷,会形成从()的自建电场
A.正,N区指向P区B.正,P区指向N区C.负,N区指向P区D.负,P区指向N区
单项选择题能带和能带间不能有电子填充的叫()
A.禁带B.导带C.价带D.空带
单项选择题不会影响半导体本征载流子浓度的因素是()
A.温度B.杂质浓度C.半导体的材料种类D.半导体的禁带宽度