PN结的击穿电压越（）越好，开关时间越（）越好。

单项选择题正向电压作用下PN结电容以（）为主，反向电压作用下PN结电容以（）为主。

A.势垒电容，势垒电容
B.势垒电容，扩散电容
C.扩散电容，扩散电容
D.扩散电容，势垒电容

单项选择题P区侧存在（）空间电荷，会形成从（）的自建电场

A.正，N区指向P区
B.正，P区指向N区
C.负，N区指向P区
D.负，P区指向N区

单项选择题能带和能带间不能有电子填充的叫（）

A.禁带
B.导带
C.价带
D.空带

单项选择题不会影响半导体本征载流子浓度的因素是（）

A.温度
B.杂质浓度
C.半导体的材料种类
D.半导体的禁带宽度

单项选择题P型半导体的掺杂浓度越高，载流子的迁移率越（），费米能级越靠近（）

A.高，导带
B.低，价带
C.高，价带
D.低，导带