A.电压B.电流C.压力D.时间
单项选择题集成电路的散热方式以（）为主。
A.辐射B.对流C.传导D.对流和辐射
单项选择题金-锡共晶焊工艺的最大缺点是（）
A.耗金量太大B.不可靠C.导热性差D.接触不良
单项选择题组装过程中，H1级芯片和衬底之间的粘接要求（）
A.芯片周长50%可见焊料B.芯片周围75%可见焊料C.芯片周长40%可见焊料D.芯片周长45%可见焊料
单项选择题一般MOS型集成电路的隔离是（）
A.与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B.介质隔离C.介质隔离和PN结隔离D.自隔离
单项选择题可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
A.二氧化硅B.氮化硅C.磷硅玻璃D.氧化铝
