二极管的反向电流随着温度降低而（）。

单项选择题在半导体PN结两端加（）就可使其导通。

A.正向电子流
B.正向电压
C.反向电压
D.反向电子流

单项选择题PN结呈现正向导通的条件是（）。

A.P区电位低于N区电位
B.N区电位低于P区电位
C.P区电位等于N区电位
D.都不对

单项选择题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。

A.自由电了是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

单项选择题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。

A.1V
B.0.7V
C.0.3V
D.0.5V

单项选择题稳压二极管是利用PN结的（）来实现稳压性能的。

A.反向击穿特性
B.正向导通性
C.反向截止性
D.单向导电性

单项选择题关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。

A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴
B.P型半导体中只有空穴导电
C.N型半导体中只有自由电子参与导电
D.在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

单项选择题N型半导体的多数载流子是（）。

A.电流
B.自由电子
C.电荷
D.空穴

单项选择题下列说法正确的是（）。

A.N型半导体带负电
B.P型半导体带正电
C.PN结型半导体为电中性体
D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生

单项选择题晶体硅或锗中，参与导电的是（）。

A.离子
B.自由电子
C.空穴
D.B和C

单项选择题P型半导体的多数载流子是（）。

A.电子
B.空穴
C.电荷
D.电流