A.温差电动势B.热释电C.光电导D.光电子发射
单项选择题半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm,则GaAs的禁带宽度为()
A.1.42JB.1.42eVC.1.42E-3JD.1.42E-3eV
单项选择题已知一He-Ne激光器(波长为632.8nm)出射激光束的光子流速率N为9.55E16个 秒,则该束激光功率为()
A.30mWB.90mWC.30WD.90W
多项选择题直视型真空图像探测器由几部分组成()
A.图像转换B.增强C.高真空管壳D.阳极
单项选择题像管的响应时间大约为()
A.秒量级B.纳秒量级C.微秒量级D.毫秒量级
多项选择题像管最常用的红外和可见光电阴极有()
A.负电子亲和势B.单碱锑化物C.多碱锑化物D.银氧铯