半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm，则GaAs的禁带宽度为（）……

单项选择题已知一He-Ne激光器（波长为632.8nm）出射激光束的光子流速率N为9.55E16个 秒，则该束激光功率为（）

A.30mW
B.90mW
C.30W
D.90W

多项选择题直视型真空图像探测器由几部分组成（）

A.图像转换
B.增强
C.高真空管壳
D.阳极

单项选择题像管的响应时间大约为（）

A.秒量级
B.纳秒量级
C.微秒量级
D.毫秒量级

多项选择题像管最常用的红外和可见光电阴极有（）

A.负电子亲和势
B.单碱锑化物
C.多碱锑化物
D.银氧铯

单项选择题光洁度▽14相当于粗糙度即H=0.05μm，若CCD像元尺寸=15μm，则物镜倍率为（）

A.21.22
B.212.2
C.0.2122
D.2.122