A.GTRB.IGBTC.MOSFETD.晶闸管
单项选择题以下不是防止MOSFET被静电击穿的措施的是()。
A.将电路存放在静电包装袋B.焊接时电烙铁应断电C.测试仪器必须良好接地D.用手直接将MOSFET放到测试台上
单项选择题以下不是引起IGBT的发生擎住效应的原因是()。
A.集电极电流过大B.电压上升率过大C.温度升高D.电源电压过低
单项选择题以下不是IGBT的管脚名称的是()。
A.集电极B.发射极C.栅极D.门极
单项选择题以下不是IGBT的工作区域的是()。
A.正向阻断区B.有源区C.负阻区D.饱和区
单项选择题以下不是MOSFET的管脚名称的是()。
A.栅极B.漏极C.源极D.基极