A.将电路存放在静电包装袋B.焊接时电烙铁应断电C.测试仪器必须良好接地D.用手直接将MOSFET放到测试台上……

单项选择题以下不是引起IGBT的发生擎住效应的原因是（）。

A.集电极电流过大
B.电压上升率过大
C.温度升高
D.电源电压过低

单项选择题以下不是IGBT的管脚名称的是（）。

A.集电极
B.发射极
C.栅极
D.门极

单项选择题以下不是IGBT的工作区域的是（）。

A.正向阻断区
B.有源区
C.负阻区
D.饱和区

单项选择题以下不是MOSFET的管脚名称的是（）。

A.栅极
B.漏极
C.源极
D.基极

单项选择题以下不是MOSFET的工作区域的是（）。

A.截止区
B.放大区
C.非饱和区
D.饱和区