单管DRAM位线上的分布电容电荷大，降低了存储高电平的电位，仅达到（），因此需要增加灵敏恢复/放大电路放大电压，达到高电平的值。

多项选择题四管动态存储单元电路不需要灵敏恢复 放大电路的原因是（）。

A.输出高电平的电位足够高
B.输出低电平的电位足够高
C.电容可以存储电荷
D.用锁存器的输出存储电平

单项选择题QDR SDRAM为（）。

A.同步动态随机存储器
B.异步静态随机存储器
C.2倍速同步随机存储器
D.4倍速同步动态随机存储器

单项选择题可变模计数器，或者其他多变化控制电路可用（）输入条件改变。

A.编程
B.自动
C.移位寄存器的输出
D.复位

单项选择题基于MSI时序电路子模块划分的依据是（）。

A.功能
B.输入/输出
C.时序电路
D.组合电路
E.以上都是

单项选择题可逆集成计数器74190和74191的区别是（）

A.异步复位
B.异步预置
C.单、双时钟
D.计数器的模