A.周期为每列存储单元刷新B.周期为每行存储单元刷新C.周期进行行译码D.周期读 写数据DRAM2116结构图……

单项选择题单管DRAM位线上的分布电容电荷大，降低了存储高电平的电位，仅达到（），因此需要增加灵敏恢复 放大电路放大电压，达到高电平的值。

A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V

多项选择题四管动态存储单元电路不需要灵敏恢复 放大电路的原因是（）。

A.输出高电平的电位足够高
B.输出低电平的电位足够高
C.电容可以存储电荷
D.用锁存器的输出存储电平

单项选择题QDR SDRAM为（）。

A.同步动态随机存储器
B.异步静态随机存储器
C.2倍速同步随机存储器
D.4倍速同步动态随机存储器

单项选择题可变模计数器，或者其他多变化控制电路可用（）输入条件改变。

A.编程
B.自动
C.移位寄存器的输出
D.复位

单项选择题基于MSI时序电路子模块划分的依据是（）。

A.功能
B.输入/输出
C.时序电路
D.组合电路
E.以上都是