A.减小沟道长度B.增加衬底掺杂浓度C.增加栅氧化层厚度D.增加沟道载流子迁移率以下哪些措施可以提高MOSFE……

多项选择题在实测的晶体管输出特性曲线中，IC在放大区随VCE的增加而略有增加，这是由（）造成的。

A.基区宽度调变效应
B.有效沟道长度调制效应
C.电导调制效应
D.厄尔利效应

单项选择题在平衡状态下，电子的电流密度（）。

A.等于0
B.大于0
C.小于0
D.大于等于0

多项选择题单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势
B.耗尽区宽度
C.最大电场
D.势垒高度

多项选择题输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。

A.载流子浓度
B.电场强度
C.载流子浓度梯度
D.电荷密度

多项选择题‎短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）

A.跨导与沟道长度L不再有关
B.饱和漏源电压正比于沟道长度L
C.阈值电压随L的缩短而减小
D.饱和漏极电流与沟道长度L无关