正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（）特点。‍

多项选择题​PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（）就是这样的。

A.势垒电容
B.空间电荷区宽度
C.反向饱和电流
D.反向恢复过程

多项选择题‎PN结的空间电荷区的电荷有（）。

A.施主离子
B.电子
C.空穴
D.受主离子

多项选择题当MOSFET的沟道长度、各种横向和纵向尺寸都按照缩小因子K等比例缩小时，以下哪些物理量将缩小K倍？（）

A.漏极电流
B.阈电压
C.单位面积栅电容
D.跨导

多项选择题在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）

A.沟道迁移率恒定近似
B.耗尽近似
C.强反型近似
D.缓变沟道近似

多项选择题MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）

A.基区宽度调变效应
B.阈电压的短沟道效应
C.漏区静电场对沟道的反馈
D.有效沟道调制效应