在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）

多项选择题MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）

A.基区宽度调变效应
B.阈电压的短沟道效应
C.漏区静电场对沟道的反馈
D.有效沟道调制效应

多项选择题​影响MOSFET阈值电压的因素有（）。

A.衬底掺杂浓度
B.沟道宽度
C.栅氧化层厚度
D.氧化层固定电荷

多项选择题双极型晶体管的基区输运系数的表达式为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

多项选择题为了能用与平衡载流子浓度分布公式相类似的公式来描述非平衡载流子浓度的分布，引入了准费米能级的概念。如果用EFp和EFn分别代表空穴和电子的准费米能级。非平衡载流子的浓度分别表示（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

多项选择题反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的（）。

A.掺杂浓度
B.温度
C.禁带宽度
D.种类