高压汞灯作为紫外光源被使用有常规i线步进光刻机上，那么i线的UV光波长为（）

单项选择题坚膜烘焙在加热平板上进行，温度控制在（）。

A.100℃～150℃
B.130℃～200℃
C.110～130℃
D.85～120℃

单项选择题在显影过程中，对于正性抗蚀剂，显影液的使用要求是（）。

A.显影液可以使用丁酮
B.显影液可以使用甲苯
C.显影液可以使用丙酮
D.显液可以使用甲基异丁基酮和异丙醇的1：1混合液

单项选择题当需要刻蚀的图形尺寸大于3um时，一般使用（）。

A.湿法刻蚀
B.溅射刻蚀
C.等离子体刻蚀
D.反应离子刻蚀

单项选择题兼具有各向异性刻蚀的优点，又有可接受的选择比的刻蚀方法是（）。

A.湿法刻蚀
B.溅射刻蚀
C.等离子体刻蚀
D.反应离子刻蚀

单项选择题假设光刻胶的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度为4000块，如果要求经过30秒的刻蚀后，厚度变为1400埃，那么这个过程中刻蚀速率是（）埃 分钟。

A.5200
B.1200
C.9200
D.8000