坚膜烘焙在加热平板上进行，温度控制在（）。……

单项选择题在显影过程中，对于正性抗蚀剂，显影液的使用要求是（）。

A.显影液可以使用丁酮
B.显影液可以使用甲苯
C.显影液可以使用丙酮
D.显液可以使用甲基异丁基酮和异丙醇的1：1混合液

单项选择题当需要刻蚀的图形尺寸大于3um时，一般使用（）。

A.湿法刻蚀
B.溅射刻蚀
C.等离子体刻蚀
D.反应离子刻蚀

单项选择题兼具有各向异性刻蚀的优点，又有可接受的选择比的刻蚀方法是（）。

A.湿法刻蚀
B.溅射刻蚀
C.等离子体刻蚀
D.反应离子刻蚀

单项选择题假设光刻胶的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度为4000块，如果要求经过30秒的刻蚀后，厚度变为1400埃，那么这个过程中刻蚀速率是（）埃 分钟。

A.5200
B.1200
C.9200
D.8000

单项选择题通过分析刻蚀前后刻蚀腔内的成分来判断是否达到终点的终点检测方法是（）

A.发射光谱法
B.干涉测量法
C.质谱分析法
D.椭圆偏振发