有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4Å，其带隙有可能是（）eV

单项选择题GaAs晶体是（）结构

A.金刚石
B.闪锌矿
C.体心
D.面心

单项选择题MOSFET开关的基本工作原理是通过（）极电压来控制（）极和（）极之间的导电沟道的通断。

A.栅、源、漏
B.漏、源、栅
C.源、漏、栅
D.以上都不是

单项选择题当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其（）的pn结上的电压方向是反向偏置的

A.集电极到发射极
B.集电极到基极
C.基极到发射极
D.以上都不是

单项选择题一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的（）达到了14nm量级

A.栅极长度
B.漏极宽度
C.栅极宽度
D.以上都不是

单项选择题光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（）的情况。

A.对光刻精度较高
B.光刻图案密度较高
C.光刻的材料易于腐蚀
D.光刻的材料难以腐蚀