A.集电极到发射极 B.集电极到基极 C.基极到发射极 D.以上都不是
单项选择题一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的（）达到了14nm量级
A.栅极长度 B.漏极宽度 C.栅极宽度 D.以上都不是
单项选择题光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（）的情况。
A.对光刻精度较高 B.光刻图案密度较高 C.光刻的材料易于腐蚀 D.光刻的材料难以腐蚀
单项选择题在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）
A.腐蚀 B.离子注入 C.光刻 D.CVD
名词解释什么是等离子体; 等离子体名词解释定义是什么?
名词解释什么是激活剂; 激活剂名词解释定义是什么?
