A.1B.2C.3D.4
单项选择题()内部空穴数量多于自由电子数量。
A.本征半导体B.P型半导体C.N型半导体D.杂质半导体
单项选择题以下关于扩散电流的描述中,错误的是()
A.由浓度差引起的载流子的定向运动而产生B.是半导体特有的一种电流C.半导体处于热平衡状态时不存在D.浓度梯度越小,扩散电流越大
单项选择题以下关于漂移电流的描述中,错误的是()
A.是在外电场作用下产生的载流子的定向运动B.是半导体特有的电流C.迁移率越高,漂移电流越大D.电导率越高,漂移电流越大
单项选择题半导体器件受温度影响较大的主要原因是()
A.多子浓度对温度敏感B.少子浓度对温度敏感C.多子浓度对掺杂敏感D.少子浓度对掺杂敏感
单项选择题杂质半导体中,温度升高,多子浓度(),少子浓度()
A.显著增加,显著增加B.近似不变,显著增加C.近似不变,近似不变D.显著减少,近似不变